진짜진짜-최종본.png
Advanced Semiconductor Display Metrology

About Us


ASDM은 기존 기술의 한계를 극복하기 위해 비선형 광학 기술을 이용한 계면 특성 분석 방법을 기반으로 비접촉 광학적인 방법으로 단위 소자 작동 여부와 위치별로 소자 성능을 개선할 수 있는 레이저 큐어링 기술을 개발, 이를 "반도체 소자의 분석방법 및 이를 위한 분석 장치" 2022년 4월에 특허로 출원 및 구체적 아이템을 개발했습니다.

2015년부터 산학 연구 및 기술 협력을 통해, 결함 분석 기술에 대한 연구를 지속해 왔고, 대면적에 분포한 소자 작동 및 성능을 정략적으로 평가할 수 있는 시스템의 필요성을 통해 이에 대한 연구를 추진해 왔습니다.


CEO사진.jpg


인 사 말


안녕하십니까?
 
차세대 반도체/디스플레이 소자 및 소재 검사 시스템과 분석 서비스 전문 업체 (주)에이에스디엠의 대표이사 정권범입니다.
 
저희 에이에스디엠은 15년 이상 산화물 전극과 반도체 물질과 소자에 대한 전자구조 연구와 결함분석 기술 연구를 진행해 온 첨단고체물성연구실 (Advanced Physics Electromaterials Laboratory : APEL) 의 실험실 창업회사로 시작한 스타트업 기업입니다.
 
15년 동안 150편 이상의 SCI 논문, 20여 건 이상의 특허를 출원하였으며, 다양한 산학연 연구과제를 통해 쌓아온 혁신적이고 창의적인 분석 기술을 기반으로 디스플레이/반도체/센서/배터리/바이오소자 개발에 필요한 다양한 분석 장치와 분석기법 및 서비스를 제공하고자 합니다.

 

투자자 여러분,
저희 에이에스디엠은 언제나 여러분을 향해 열려있습니다. 끊임없는 연구와 혁신적인 아이디어로 고객의 성원에 보답하겠습니다.

 

앞으로 에이에스디엠의 성장과 함께해 주십시오.


(​주)에이에스디엠 대표이사
이학박사 정권범 드림

"반도체와 디스플레이의 미래를 빛으로 보다"

photo-1557159557-7a93eaadf72a.jpg
ASDM이 걸어온 길


·    2024

 
LG Display 업무 협약
▷ 소자 어레이 분석 방법 및 이를 위한 분석 장치 기술 개발
    (특허 출원 10-2024-0049532, US18/771046)
▷ 3차원 소자 분석 방법 및 분석 장치 기술 개발
    (특허 출원 10-2024-0094407, 미국 특허 출원중)

·    2023

 
소자 array 작동 여부 측정 및 분석 기술 시스템 개발
▷ 이차 전지 성능 확인 방법 및 분석 장치 기술 개발
    (특허 출원 10-2023-0161220, PCT 출원중)

·    2022

  
▷ 소자 채널의 위치별 결함의 정량적 측정 및 분석 시스템 개발
     (특허 출원 10-2022-0118117, 삼성디스플레이 공동출원)
▷ 반도체 소자의 작동 여부 비파괴 검사 방법 및 장치 기술 개발
     (특허 출원 10-2022-0043071, PCT/KR2023/004467, 미국 특허 출원중)

·    2021

  
삼성미래기술육성센터 "초고 PPI 디스플레이 인라인 모니터링 기술 개발" 관련
과제 수주

·    2020

 
결함의 정량 측정을 위한 광전류를 이용한 결함의 접촉식 측정 시스템 개발
(특허 출원 10-2020-0086436, 삼성디스플레이 공동출원)

·    2014

  
분광학적 타원해석법을 이용한 전자 소자의 특성 평가 방법 개발
(특허 등록 10-1360540)

·    2013

  
분광학적 타원해석법을 이용하여 박막의 밴드캡 및 물리적/정성적 결함 분석 기술 개발
(특허 등록 10-1261495)
"광학 진단으로 완벽한 반도체와 디스플레이 품질을 보장합니다"
CI 소개

그림2.png
Advanced Semiconductor Display Metrology

제 품 · 기 술 소 개


광학 기술을 응용한 물질 표면 및 계면 특성의 정성적 분석과 결정성, 도핑 여부를 분석하는 기술개발

전자소자의 작동 여부와 작동 성능을 비선형 광학 기술을 적용한 결함 측정/분석 기술을 통해 전체 소자를 비접촉식으로 검사하여
소재 array에서 소자별 결함의 정량적인 매핑 측정 및 분석 기술 개발
6(650x370).jpg
넓은 영역의 광학 신호를 한번에 측정하기 위하여 고출력 amplified fs-laser와 고해상도,고민감도 광학계를 이용하여 광학 신호의 분포를 측정하는 방식의 모니터링 장비를 구현

소자의 손상 유무에 따라 광학 신호의 차이가 측정되고, 신호가 발생하는 위치 정보를 통하여 손상된 위치를 특정하는 것이 가능하며 비접촉 고속 측정을 통하여 대면적 공정에도 대응



1(650x370).jpg
검출기에 측정되는 신호 분포를 분석에 적용되고 있는 딥러닝 방법과 결합하여 측정 속도와 정확도를 향상시킴과 동시에 다양한 정보를 획득. 전기적으로 측정된 소자의 특성 정보를 이용하여 광학 신호의 이미지 라벨링하여 convolutional neural network ​(CNN) 방법을 통해 비선형 이미지 신호에서 결함의 종류 및 위치를 판별

학습된 다양한 패턴에 대한 정보를 기반으로 광학 이미징을 통해 위치뿐만 아니라 종류, 문제가 생긴 공정을 자동으로 검출하는 기술을 통해 In-line 모니터링으로 전체 공정에 피드백을 제공하고 스스로 공정상 문제점을 해결하는 스마트 팩토리 구현
반도체, 유전체, 금속 박막의 표면 및 계면에 대한 물리적/전기적/광학적 토탈 측정/분석/해석 서비스

소비자에 최적화 된 박막 및 소자 측정/분석/해석 서비스
What_we_have-1.1_.jpg
일 박막, 적층 박막에 대한 광학적, 물리적, 전기적 특성 분석 서비스
What_we_have-2.2_.jpg
단일 박막 Band alignment, 적층 박막 Band alignment 분석 서비스
What-we-have-3.3_.jpg
박막 정성적/정량적 결함 분석, 소자 정성적/정량적 결함 분석 서비스
"빛과 혁신, 반도체와 디스플레이의 미래를 선도하다"
Advanced Semiconductor Display Metrology

측 정 & 분 석  서 비 스


1._광전자분광기_.jpg
1. X-선 광전자 분광기 (X-ray Photoelectron Spectroscopy)
측정료 및 분석료
시편 사이즈
- 일반 : 200,000 (시간당)
- Depth profile : 300,000원 (시간당)
- 분석료 : 150,000원 (시편당)
- 권장 : 1cm X 1cm
- 최소 : 0.5cm X 0.5cm
- 최대 : 2cm X 2cm 
용도 및 기본 사양
- X-ray를 입사할 때 튀어나오는 광전자를 분석
- 주로 시료 내부 원자의 core level에 방출되는 전자를 분석하여, 시료에 있는 원소의 종류, 화학상태, 농도 등을 알아내는 기술
- 미지 시료 표면의 원소 정량 분석, 화학 상태 분석
- 시료의 Fermi level 및 valence band 분석
- X-ray beam size: 10 - 200㎛
- Energy Source: Monochromatic AI Kα
- 128 channel mode detector
- Argon sputter ion gun
- Ultrahigh vacuum system <  10-9 Torr
2._자외선광전자분광법_.jpg
2. 자외선 광전자 분광법 (UV-Photoelectron Spectroscopy)
측정료 및 분석료
시편 사이즈
- 일반 : 200,000 (시간당)
- 분석료 : 150,000원 (시편당)
- 권장 : 1.5cm X 1.5cm
- 최소 : 1.2cm X 1.2cm
- 최대 : 2cm X 2cm
  Powder 샘플 측정불가
용도 및 기본 사양
- UV 영역의 빛을 사용하여 광전자를 분석
- 10~40eV 정도의 극자외선 영역의 빛을 사용하여 시료의 가전자 상태 (valence electronic state) 영역의 전자를 방출 하도록하여, 화학 결합에 직접 참여하는 전자들이 고체 내에서 가질 수 있는 다양한 상태를 알 수 있도록 해주는 기술
 (ex. Fermi level, workfunction 등)
- X-ray beam size: 10 - 200㎛
- Energy Source: Monochromatic AI Kα
- 128 channel mode detector
- Argon sputter ion gun
- Ultrahigh vacuum system <  10-9 Torr
3._타원편광분광법_.jpg
3. 타원편광분석법 (Spectroscopic Ellipsometry)
측정료 및 분석료
시편 사이즈
- 50,000원 (시편당)
▶ 타원편광분석법 (Spectroscopic Ellipsometry, heterojunction)
- 분석료: 100,000원 (시편당)
  측정료 별도
- 권장 : 1.5cm X 1.5cm
- 최소 : 1.0cm X 1.0cm
용도 및 기본 사양
- 타원 편광을 가진 빛을 입사하여 시편에서 반사되는 빛의 편광 상태의 변화 분석
박막 시편의 두께, 광학적 굴절률, 반사, 흡수, 유전률의 파장의 함수로 알 수 있는기술

- Spectral Range: D: 193 nm to 1000 nm, 800 wavelengths, 
   NIR extension : 1,005 nm to 1,690 nm, 275 wavelengths
- Spectral Resolution Bandwidth : U, X, D : 1 nm wavelength spacing,
  <  2.5 nm FWHM, NIR extension :  2.5 nm wavelength spacing, <  3.5 nm 
  FWHM
- Measurement Quantities : Ψ = 0 ~ 90 ° and Δ = 0 ~ 360 °,  N, C, and S
- Thickness Precision : standard deviation in thickness  <  0.005 nm
4._타원편광분광법_.jpg
4. 광학적 결함 분석 (near conduction band minimum, 정성적)
측정료 및 분석료
시편 사이즈
- 분석료 : 200,000원(시편당)
  측정료 별도
- 권장 : 1.5cm × 1.5cm
- 최소 : 1.0cm × 1.0cm
용도 및 기본 사양
- 타원 편광을 가진 빛을 입사하여 시편에서 반사되는 빛의 편광 상태의 변화 분석
- 박막 시편의 두께, 광학적 굴절률, 반사, 흡수, 유전률의 파장의 함수로 알 수 있는기술
- Spectral Range: D : 193 nm to 1000 nm, 800 wavelengths,
   NIR extension : 1,005 nm to 1,690 nm, 275 wavelengths
- Spectral Resolution Bandwidth : U, X, D : 1 nm wavelength spacing,
<  2.5 nm FWHM, NIR extension : 
  2.5 nm wavelength spacing, <  3.5 nm FWHM
- Measurement Quantities : Ψ = 0 ~ 90 ° and Δ = 0 ~ 360 °, 
   N, C, and S
- Thickness Precision : standard deviation in thickness <  0.005 nm
5._band_alignment_분석_.jpg
5. Band alignment 분석
측정료 및 분석료
시편 사이즈
▶ Fermi level
     - 100,000원 (시편당)
▶ Fermi level, workfunction
     - 200,000원 (시편당)
▶ Heterojunction
     - 400,000원 (시편당)
- 권장 : 1.5cm X 1.5cm
- 최소 : 1.0cm X 1.0cm

용도 및 기본 사양
- 광전자 분석법과 분광법을 조합 측정/분석하여 단층 구조 시편의 band alignment와 다층 구조 시편의 band alignment 접합을 Fermi level 또는 vacuum level 기준으로 분석
6._광학적_계면_결함_분석_.png
6. 광학적 계면 결함 분석 (비선형, 정성적)
측정료 및 분석료
시편 사이즈
- 150,000원 (시편당)
- 최소 : 1.0cm X 1.0cm
용도 및 기본 사양
- 비선형 광학을 이용한 계면 결함 특성 분석
7.심층과도분광법_.jpg
7. 심층 과도 분광법 (Deep Level Transient Spectroscopy)
측정료 및 분석료
시편 사이즈
- 소자 시편 : 200,000원 (시편당)
- 소자 제작 시편 : 300,000원 (시편당)
- 최소 : 1.0cm X 1.0cm
용도 및 기본 사양
- 반도체의 공간 전하 영역에 존재하는 전기 활성 결함 분석
8.광인가과도전류분광기_.jpg
8. 광인가 과도 전류 이용 결함 분석 (Photo Induced Current Transient Spectroscopy, 정량적)
측정료 및 분석료
시편 사이즈
- MOS 소자 시편 : 200,000원 (시편당)
- MOS 소자 제작 시편 : 300,000원 (시편당)
- 최소 : 1.0cm X 1.0cm
용도 및 기본 사양
- 광인가 전류의 시간에 따른 감쇠 특성을 측정하여 결함의 정량적 분석
9번_AC_그림.jpg
9. AC transconductance 이용 결함 분석 (정량적)
측정료 및 분석료
시편 사이즈
- MOS 소자 시편 : 300,000원 (시편당)
- MOS 소자 제작 시편 : 400,000원 (시편당)
- 최소 : 1.0cm X 1.0cm
용도 및 기본 사양
- 전기 신호의 주파수에 따른 변화 특성을 측정하여 결함의 정량적 분석
dos_그림.jpg
    10. 이론 계산을 통한 Density of States 추출
기본 계산료
추가 계산료
     - 시간당 이용료 A100 X 8 기준 : 30,000원
     - system의 원자개수 및 계산종류에 따른 실 소요시간으로 청구
     - DFT 구조 계산 및 전자구조 계산 (500 atom) : 30,000원 
     - 비정질 모델링 MD (150 atom, 60 ps, 3fs, 18000 step) : 500,000원
     - Hybrid functional 전자구조 (150 atom, HSE06) : 250,000원

※ 측정 및 분석 비용은 수량과 내용에 따라 협의 가능합니다.

Advanced Semiconductor Display Metrology

문의하기

회사 및 제품에 대한 별도의 문의 내용이 있으신 경우 메시지를 남겨주세요.
빠른 시간내에 답변드리겠습니다.

서울특별시 중구 필동로1길 30, 동국대학교 신공학관 2136호 (필동3가)
Office: +82-2-2260-3187  |  E-mail: info-service@asdm.co.kr
개인정보 수집 및 이용 동의 / 약관 보기
문의하기