 | 1. X-선 광전자 분광기 (X-ray Photoelectron Spectroscopy) |
측정료 및 분석료 | 시편 사이즈 |
- 일반 : 150,000 (시간당) - Depth profile : 200,000원 (시간당) - 분석료 : 100,000원 (시편당) | - 권장 : 1cm X 1cm - 최소 : 0.5cm X 0.5cm - 최대 : 2cm X 2cm |
용도 및 기본 사양 |
- X-ray를 입사할 때 튀어나오는 광전자를 분석 - 주로 시료 내부 원자의 core level에 방출되는 전자를 분석하여, 시료에 있는 원소의 종류, 화학상태, 농도 등을 알아내는 기술 - 미지 시료 표면의 원소 정량 분석, 화학 상태 분석 - 시료의 Fermi level 및 valence band 분석 | - X-ray beam size: 10 - 200㎛
- Energy Source: Monochromatic AI Kα
- 128 channel mode detector
- Argon sputter ion gun
- Ultrahigh vacuum system < 10-9 Torr |
 | 2. 자외선 광전자 분광법 (UV-Photoelectron Spectroscopy) |
측정료 및 분석료 | 시편 사이즈 |
- 일반 : 150,000 (시간당) - 분석료 : 100,000원 (시편당) | - 권장 : 1.5cm X 1.5cm - 최소 : 1.2cm X 1.2cm - 최대 : 2cm X 2cm Powder 샘플 측정불가 |
용도 및 기본 사양 |
- UV 영역의 빛을 사용하여 광전자를 분석 - 10~40eV 정도의 극자외선 영역의 빛을 사용하여 시료의 가전자 상태 (valence electronic state) 영역의 전자를 방출 하도록하여, 화학 결합에 직접 참여하는 전자들이 고체 내에서 가질 수 있는 다양한 상태를 알 수 있도록 해주는 기술 (ex. Fermi level, workfunction 등) | - X-ray beam size: 10 - 200㎛
- Energy Source: Monochromatic AI Kα
- 128 channel mode detector
- Argon sputter ion gun
- Ultrahigh vacuum system < 10-9 Torr |
 | 3. 타원편광분석법 (Spectroscopic Ellipsometry) |
측정료 및 분석료 | 시편 사이즈 |
- 30,000원 (시편당) ▶ 타원편광분석법 (Spectroscopic Ellipsometry, heterojunction) - 분석료: 50,000원 (시편당) 측정료 별도 | - 권장 : 1.5cm X 1.5cm
- 최소 : 1.0cm X 1.0cm |
용도 및 기본 사양 |
- 타원 편광을 가진 빛을 입사하여 시편에서 반사되는 빛의 편광 상태의 변화 분석 - 박막 시편의 두께, 광학적 굴절률, 반사, 흡수, 유전률의 파장의 함수로 알 수 있는기술
| - Spectral Range: D: 193 nm to 1000 nm, 800 wavelengths, NIR extension : 1,005 nm to 1,690 nm, 275 wavelengths - Spectral Resolution Bandwidth : U, X, D : 1 nm wavelength spacing, < 2.5 nm FWHM, NIR extension : 2.5 nm wavelength spacing, < 3.5 nm FWHM - Measurement Quantities : Ψ = 0 ~ 90 ° and Δ = 0 ~ 360 °, N, C, and S - Thickness Precision : standard deviation in thickness < 0.005 nm |
 | 4. 광학적 결함 분석 (near conduction band minimum, 정성적) |
측정료 및 분석료 | 시편 사이즈 |
- 분석료 : 100,000원(시편당)
측정료 별도 | - 권장 : 1.5cm × 1.5cm - 최소 : 1.0cm × 1.0cm |
용도 및 기본 사양 |
- 타원 편광을 가진 빛을 입사하여 시편에서 반사되는 빛의 편광 상태의 변화 분석 - 박막 시편의 두께, 광학적 굴절률, 반사, 흡수, 유전률의 파장의 함수로 알 수 있는기술 | - Spectral Range: D : 193 nm to 1000 nm, 800 wavelengths, NIR extension : 1,005 nm to 1,690 nm, 275 wavelengths - Spectral Resolution Bandwidth : U, X, D : 1 nm wavelength spacing, < 2.5 nm FWHM, NIR extension : 2.5 nm wavelength spacing, < 3.5 nm FWHM - Measurement Quantities : Ψ = 0 ~ 90 ° and Δ = 0 ~ 360 °, N, C, and S - Thickness Precision : standard deviation in thickness < 0.005 nm |
 | 5. Band alignment 분석 |
측정료 및 분석료 | 시편 사이즈 |
▶ Fermi level - 100,000원 (시편당) ▶ Fermi level, workfunction - 200,000원 (시편당) ▶ Heterojunction - 300,000원 (시편당) | - 권장 : 1.5cm X 1.5cm - 최소 : 1.0cm X 1.0cm
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용도 및 기본 사양 |
- 광전자 분석법과 분광법을 조합 측정/분석하여 단층 구조 시편의 band alignment와 다층 구조 시편의 band alignment 접합을 Fermi level 또는 vacuum level 기준으로 분석 |
 | 6. 광학적 계면 결함 분석 (정성적) |
측정료 및 분석료 | 시편 사이즈 |
- 100,000원 (시편당) | - 최소 : 1.0cm X 1.0cm |
용도 및 기본 사양 |
- 비선형 광학을 이용한 계면 결함 특성 분석 |
 | 7. 심층 과도 분광법 (Deep Level Transient Spectroscopy) |
측정료 및 분석료 | 시편 사이즈 |
- 소자 시편 : 150,000원 (시편당) - 소자 제작 시편 : 200,000원 (시편당) | - 최소 : 1.0cm X 1.0cm |
용도 및 기본 사양 |
- 반도체의 공간 전하 영역에 존재하는 전기 활성 결함 분석 |
 | 8. 광인가 과도 전류 이용 결함 분석 (Photo Induced Current Transient Spectroscopy, 정량적) |
측정료 및 분석료 | 시편 사이즈 |
- MOS 소자 시편 : 200,000원 (시편당)
- MOS 소자 제작 시편 : 300,000원 (시편당) | - 최소 : 1.0cm X 1.0cm |
용도 및 기본 사양 |
- 광인가 전류의 시간에 따른 감쇠 특성을 측정하여 결함의 정량적 분석 |
 | 9. AC transconductance 이용 결함 분석 |
측정료 및 분석료 | 시편 사이즈 |
- MOS 소자 시편 : 200,000원 (시편당)
- MOS 소자 제작 시편 : 300,000원 (시편당) | - 최소 : 1.0cm X 1.0cm |
용도 및 기본 사양 |
- 전기 신호의 주파수에 따른 변화 특성을 측정하여 결함의 정량적 분석 |
